Photodiode kanthi amplifikasi sinyal internal kanthi proses longsor. Photodiode longsor yaiku detektor cahya semikonduktor (photodiode) sing beroperasi ing voltase mundur sing relatif dhuwur (biasane ing puluhan utawa malah atusan volt), kadhangkala mung rada ngisor ambang. Ing kisaran iki, operator (elektron lan bolongan) bungah dening foton nyerep digawe cepet dening medan listrik internal kuwat lan banjur generate operator sekunder, kang asring kedaden ing tabung photomultiplier. Proses longsor mung dumadi ing jarak sawetara mikrometer, lan arus foto bisa digedhekake kaping pirang-pirang. Mulane, fotodioda longsor bisa digunakake minangka detektor sing sensitif banget, mbutuhake amplifikasi sinyal elektronik sing kurang lan mulane kurang swara elektronik. Nanging, gangguan kuantum lan gangguan amplifier sing ana ing proses longsor negate kaluwihan sing kasebut sadurunge. Swara aditif bisa diterangake sacara kuantitatif dening tokoh gangguan aditif, F, sing minangka faktor sing ndadekake kenaikan daya swara elektronik dibandhingake karo photodetector sing cocog. Perlu dicathet yen faktor amplifikasi lan responsivitas efektif APD ana hubungane karo voltase mbalikke, lan nilai sing cocog karo piranti sing beda-beda beda. Mulane, iku umum kanggo ciri sawetara voltase kang kabeh piranti entuk respon tartamtu. Bandwidth deteksi dioda longsor bisa dhuwur banget, utamane amarga sensitivitas sing dhuwur, ngidini nggunakake resistor shunt sing luwih cilik tinimbang ing fotodioda normal. Umumé, nalika bandwidth deteksi dhuwur, karakteristik gangguan APD luwih apik tinimbang photodiode PIN biasa, lan nalika bandwidth deteksi luwih murah, fotodiode PIN lan amplifier narrowband kurang swara luwih apik. Sing luwih dhuwur faktor amplifikasi, sing luwih dhuwur angka gangguan tambahan, kang dijupuk dening nambah voltase mbalikke. Mulane, voltase mbalikke biasane dipilih supaya gangguan proses multiplikasi kira-kira padha karo amplifier elektronik, amarga iki bakal nyilikake gangguan sakabèhé. Gedhene gangguan aditif ana gandhengane karo akeh faktor: gedhene voltase mbalikke, sifat materi (utamane, rasio koefisien ionisasi) lan desain piranti. Dioda longsor basis silikon luwih sensitif ing wilayah dawa gelombang 450-1000 nm (kadhangkala bisa tekan 1100 nm), lan tanggung jawab paling dhuwur ana ing kisaran 600-800 nm, yaiku, dawane gelombang ing wilayah dawa gelombang iki rada sithik. luwih cilik tinimbang dioda Si p-i-n. Faktor multiplikasi (uga disebut gain) Si APD beda-beda gumantung antarane 50 lan 1000 gumantung ing desain piranti lan voltase mbalikke Applied. Kanggo dawa gelombang sing luwih dawa, APD mbutuhake bahan germanium utawa indium gallium arsenide. Dheweke duwe faktor perkalian saiki sing luwih cilik, antarane 10 lan 40. InGaAs APD luwih larang tinimbang Ge APD, nanging nduweni ciri swara sing luwih apik lan bandwidth deteksi sing luwih dhuwur. Aplikasi khas fotodioda longsor kalebu panrima ing komunikasi serat optik, ranging, pencitraan, scanner laser kacepetan dhuwur, mikroskop laser, lan optical time domain reflectometry (OTDR).
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
