Struktur laser Semikonduktor biru lan prinsip kerja

Gumantung ing materi wilayah sing aktif, jembaré band lahir saka semikonduktor laser Light Semiconduktor beda-beda, saéngga laser semikonduktor bisa ngetokake warna sing beda karo warna. Bahan wilayah aktif laser bangunan semikonduktor biru yaiku gan utawa ingan. Struktur laser adhedhasar gan khas ditampilake ing Gambar 1. Saka ngisor menyang ndhuwur ing arah ZGUGUALE, GAN-Ketik Layer Layer, Jenis Layer Layer (EBL) Lapisan Gan P-Type, lan P-Electrode

Indeks refleksi materi saka wilayah multi-kuantum kanthi dhuwur (MQWs) paling dhuwur, lan indeks reflektif ing loro-lorone wilayah aktif nuduhake tren sing mudhun. Liwat distribusi indeks referensi saka bahan Z kanthi dhuwur ing tengah lan ngisor ing ndhuwur lan ing ngisor iki, kolom cahya ing arah Z bisa diwatesi ing antarane lapisan gelombang ndhuwur lan ngisor. Ing arah Y, bagean lapisan p-jinis ing loro-lorone laser dicopot nganggo etching, lan lapisan tipis dioksida (SiO2) disimpen, bisa uga nggawe struktur rabung. Indeks refleksional dioksida lan udhara luwih cilik tinimbang lapisan p-jinis, saéngga indeks biasan ing arah sing dhuwur banget ing sisih tengah lan sithik ing sisih loro, lan lapangan Cahaya diilangi ing tengah-tengah gunung. Amarga efek watesan ing Y lan Z ing lapangan Cahaya, lapangan cahya ing pesawat YZ nampilake distribusi elips. Ing arah X, permukaan rongga ngarep lan mburi bisa dibentuk dening cleavage mekanik utawa etching, lan reflektif saka ngarep permukaan ngarep lan mburi bisa diatur kanthi nguap film dielektrik. Biasane, reflektivitas permukaan rongga ngarep luwih cilik tinimbang lumahing rongga mburi kanggo mesthekake yen laser dipancar saka permukaan ronggah.