Semikonduktor lasernduweni kaluwihan ukuran cilik, bobot entheng, efisiensi konversi elektro-optik sing dhuwur, linuwih lan umur dawa. Nduwe aplikasi penting ing bidang pangolahan industri, biomedis lan pertahanan nasional. Ing taun 1962, ilmuwan Amérika kasil ngembangaken generasi pisanan GaAs struktur homogen injeksi semikonduktor laser. Ing taun 1963, Alferov lan liya-liyane saka Institut Fisika Yofei saka mantan Akademi Ilmu Pengetahuan Soviet ngumumake pangembangan sukses laser semikonduktor heterojunction ganda. Sawisé taun 1980-an, amarga introduksi saka teori engineering band energi, ing wektu sing padha Munculé proses wutah materi epitaxial kristal anyar [kayata molekul beam epitaxy (MBE) lan logam organik kimia uap deposition (MOCVD), etc.], laser sumur kuantum ing tataran sajarah, nemen Ngapikake kinerja piranti lan entuk output daya dhuwur. Laser semikonduktor daya dhuwur utamane dipérang dadi rong struktur: tabung tunggal lan Strip Bar. Struktur tabung siji biasane nganggo desain Strip sudhut lan rongga optik gedhe, lan nambah area gain kanggo entuk output daya dhuwur lan nyuda karusakan catastrophic saka lumahing growong; Struktur Strip Bar Iki minangka susunan linear paralel saka pirang-pirang laser tabung siji, macem-macem laser bisa bebarengan, banjur gabungke balok lan liya-liyane kanggo entuk output laser daya dhuwur. Laser semikonduktor daya dhuwur asli utamane digunakake kanggo ngompa laser solid-state lan laser serat, kanthi pita gelombang 808nm. lan 980nm. Kanthi kadewasan saka cedhak-infrared bandlaser semikonduktor daya dhuwurteknologi unit lan abang saka biaya, kinerja kabeh-solid-negara laser lan serat laser adhedhasar wong wis terus-terusan apik. Daya output saka gelombang terus-terusan tabung tunggal (CW) 8.1W dasawarsa tekan tingkat 29.5W, bar CW daya output tekan tingkat 1010W, lan daya output pulsa tekan tingkat 2800W, kang banget dipun promosiaken. proses aplikasi teknologi laser ing lapangan Processing. Biaya laser semikonduktor minangka sumber pompa nyatakake total laser solid-state 1/3 ~ 1/2 saka biaya, sing nyatakake 1/2 ~ 2/3 laser serat. Mulane, pembangunan kanthi cepet saka laser serat lan laser kabeh-solid-negara wis nyumbang kanggo pangembangan laser semikonduktor daya dhuwur. Kanthi dandan terus-terusan kinerja laser semikonduktor lan nyuda biaya sing terus-terusan, sawetara aplikasi dadi luwih akeh lan luwih akeh. Carane entuk laser semikonduktor dhuwur-daya wis mesthi wis ngarep lan hotspot riset. Kanggo entuk chip laser semikonduktor kanthi daya dhuwur, kudu diwiwiti saka telung aspek materi, struktur lan proteksi lumahing rongga sing dianggep: 1) Teknik Material. Bisa diwiwiti saka rong aspek: nambah gain lan nyegah oksidasi. Teknologi sing cocog kalebu teknologi sumur kuantum tegang lan teknologi sumur kuantum tanpa aluminium. 2) Teknik Struktural. Kanggo nyegah chip saka kobong metu ing daya output dhuwur, asimetris biasane digunakake teknologi Waveguide lan waveguide amba teknologi growong optik gedhe. 3) Teknologi proteksi lumahing rongga. Kanggo nyegah karusakan pangilon optik catastrophic (COMD), teknologi utama kalebu teknologi permukaan rongga non-absorbent, teknologi passivation permukaan rongga lan teknologi lapisan. Kanthi macem-macem industri Pangembangan dioda laser, apa digunakake minangka sumber pump utawa langsung Applied, wis sijine nerusake panjaluk luwih ing sumber cahya laser semikonduktor. Ing kasus syarat daya sing luwih dhuwur, kanggo njaga kualitas sinar sing dhuwur, kombinasi sinar laser kudu ditindakake. Kombinasi sinar laser semikonduktor Teknologi sinar utamane kalebu: gabungan sinar konvensional (TBC), teknologi gabungan dawa gelombang (DWDM), teknologi spectral combining (SBC), teknologi gabungan sinar koheren (CBC), lsp.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
